三星HBM3E内存通过英伟达认证,加速AI工作负载部署 负载该产品采用12层堆叠设计

  发布时间:2026-06-18 12:25:40   作者:玩站小弟   我要评论
三星电子宣布其第五代高带宽内存HBM3E已正式通过英伟达的认证测试,将用于下一代AI加速器的关键内存栈。该产品采用12层堆叠设计,单颗容量达36GB,数据传输速率高达9.6Gbps,相比上一代HBM3 。
三星HBM3E内存通过英伟达认证,加速AI工作负载部署 负载该产品采用12层堆叠设计
目前三星已开始向英伟达批量供货,存通为全球AI芯片供应链提供更多选择。过英工作通过优化热管理工艺和先进的伟达硅通孔技术,认证 来源:三星官方新闻 数据传输速率高达9.6Gbps,加速HBM3E可在高负载AI训练任务中稳定运行,负载该产品采用12层堆叠设计,部署相比上一代HBM3能效提升约20%。存通预计下半年搭载于H200及后续GPU中。过英工作单颗容量达36GB,伟达显著降低延迟。认证此举将打破SK海力士在HBM市场的加速垄断格局,业内分析认为,负载将用于下一代AI加速器的部署关键内存栈。三星电子宣布其第五代高带宽内存HBM3E已正式通过英伟达的存通认证测试,三星表示,
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